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富士通代理64Kbit非易失性鐵電存儲器MB85RS64VPNF-G-JNERE1
FRAM只是一種像RAM一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲器映射。它為最終用戶創(chuàng)造了在底層對FRAM進
2021-06-25
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賽普拉斯鐵電RAM應(yīng)用案例---可編程邏輯控制器(PLC)
賽普拉斯半導(dǎo)體提供全面的串行和并行FRAM（鐵電RAM）非易失性存儲器產(chǎn)品組合，可在斷電時立即捕獲和保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用
2021-06-24
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FRAM在寫入速度和耐用性遠優(yōu)于EEPROM
鐵電隨機存取存儲器(FRAM)是真正的非易失性RAM，結(jié)合了RAM和非易失性存儲器的優(yōu)點。FRAM在寫入速度、耐用性和能效方面遠優(yōu)于閃存 EEPROM。
2021-06-23
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存儲芯片需求旺盛，DRAM尤為亮眼
按照電子芯片供應(yīng)鏈的傳統(tǒng)，每年的第一個季度都較為平穩(wěn)和緩慢，但是2019年突如其來的疫情似乎打破了這一傳統(tǒng)，疫情爆發(fā)后訂單和產(chǎn)能吃
2021-06-22
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靈動MM32SPIN系列MCU——高能效電機技術(shù)與應(yīng)用方案
隨著人們生活水平的提高，電機在各種家用設(shè)備，以及工業(yè)自動化等領(lǐng)域的應(yīng)用將越來越廣泛。隨著十四五規(guī)劃和2035年遠景目標綱要的出爐，電機
2021-06-21
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富士通FRAM存儲芯片512K×8位SPI MB85RS4MTY
FRAM(鐵電RAM)是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀 寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。
2021-06-18
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