到目前為止，多種存儲器介質(zhì)被研究用于構(gòu)建存算一體系統(tǒng)，包括基于電荷存儲原理的傳統(tǒng)存儲器和基于電阻存儲原理的新型存儲器。傳統(tǒng)存儲器主要包括SRAM、DRAM和 Flash。其中SRAM和DRAM是易失性器件，頻繁的刷新并不利于降低功耗。而Flash雖然是非易失性的，但是隨著讀寫次數(shù)增加，浮柵氧化層會逐漸失效，反復(fù)讀寫可靠性很低。因此，各種基于電阻改變的新型存儲器是實現(xiàn)存算一體的有效載體。
 
這其中主要包括相變存儲器(PCM)、電阻記憶存儲器(RRAM)和磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)。PCM和RRAM基于原子層級重構(gòu)來改變阻值，優(yōu)點(diǎn)是有較大的阻值窗口，而缺點(diǎn)則是讀寫速度和讀寫可靠性要劣于MRAM。MRAM則是基于對電子“自旋”的控制，可以達(dá)到理論上的零靜態(tài)功耗，同時具有高速和非易失性以及近乎無限的寫入次數(shù)。MRAM在速度、耐久性、功耗這些方面具有不可替代的優(yōu)越性。因此，MRAM是實現(xiàn)存算一體的理想存儲器之一。
 
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM 具有成為通用存儲器的潛力——能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM 的速度相結(jié)合，同時具有非易失性和節(jié)能性。MRAM 可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得 MRAM 適用于汽車、工業(yè)、軍事和空間應(yīng)用，
 
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