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非易失性芯片MRAM應(yīng)用

來(lái)源: 日期:2023-08-16 14:50:42

    作為一種磁性技術(shù),MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎,而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。“它相對(duì)較大,在內(nèi)存領(lǐng)域,尺寸意味著成本,”這對(duì)航天器來(lái)說(shuō)是件好事,因?yàn)楹教炱骺梢曰?5,000 歐元購(gòu)買幾兆字節(jié)的內(nèi)存,但顯然這對(duì)消費(fèi)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)并不好。
 
    MRAM 還在企業(yè)存儲(chǔ)中找到了一席之地,例如 IBM 的閃存核心模塊,其中 Everspin MRAM 用作意外斷電時(shí)的緩沖區(qū)。此外,MRAM 還用于工業(yè)應(yīng)用。
 
    其中一些應(yīng)用程序需要具有非??斓膶懭肽芰Γ⑶倚枰欠且资缘?,如今大容量的非易失性存儲(chǔ)器是 NAND 閃存、NOR 閃存和 EPROM,這是一個(gè)非常小的市場(chǎng)。這三者的寫入速度都非常慢,并且消耗大量能量,這使得它們對(duì)于某些需要快速存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)并不受歡迎。另一種選擇是 SRAM,配有電池來(lái)支持,但這并不受歡迎,因?yàn)殡姵匦枰扛魩啄旮鼡Q一次。


本文關(guān)鍵詞:MRAM,Everspin MRAM


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