FeRAM和 ReRAM代表了非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的兩項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，旨在提供比傳統(tǒng)存儲解決方案（如 SRAM、DRAM 和 Flash）更高的性能和更小的尺寸。隨著便攜式系統(tǒng)市場在過去十多年間的迅速擴(kuò)張，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對于大容量非易失性存儲器（NVM）技術(shù)的興趣日益濃厚。市場對更高效率、更快的內(nèi)存訪問速度及更低功耗的需求，不斷推動(dòng)著NVM技術(shù)的進(jìn)步。據(jù)預(yù)測，全球非易失性存儲器市場規(guī)模在2024年達(dá)到約945.2億美元的基礎(chǔ)上，到2029年將擴(kuò)大至1647.9億美元，其間將以11.76%的復(fù)合年增長率持續(xù)增長。
 
    FeRAM依賴鐵電材料的獨(dú)特性質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲。該類存儲器以其超快的讀寫速度、出色的寫入耐久性以及較低的功耗特性而著稱。FeRAM的讀寫速度是納秒級，這遠(yuǎn)超過NOR flash、EEPROM；讀寫次數(shù)達(dá)到10¹⁴、10¹³之多，在某種意義上相當(dāng)于無限次，而EEPROM、NOR Flash一般都有次數(shù)的限制?；谶@兩個(gè)特點(diǎn)，在實(shí)時(shí)寫入、掉電保護(hù)等、需要讀寫次數(shù)比較高的快速非易失性存儲的應(yīng)用場景中（如智能卡、計(jì)量設(shè)備以及汽車中的事件數(shù)據(jù)記錄儀），F(xiàn)eRAM有著不可替代的絕對優(yōu)勢。同時(shí)，F(xiàn)eRAM也可以替換EEPROM、SARM以及MRAM。
相比之下，ReRAM則利用材料電阻狀態(tài)的變化來保存信息，通過電流調(diào)整特定材料（例如氧化鉿）的電阻特性。在功能上，ReRAM類似于EEPROM規(guī)格，但內(nèi)存容量更大、讀出功耗更低、尺寸更小，非常適合于助聽器等小型的電池驅(qū)動(dòng)的可穿戴器件應(yīng)用。
 
    近年來，ReRAM在全球范圍內(nèi)受到了極大的關(guān)注，雖然ReRAM技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)在一些芯片制造商的路線圖中，并且已有公司已經(jīng)開始布局ReRAM相關(guān)的產(chǎn)品和服務(wù)，但是要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用還需要克服一定的技術(shù)和市場挑戰(zhàn)。


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