自MCU出世以來(lái),隨著科技,物聯(lián)網(wǎng),智能化產(chǎn)品的出現(xiàn),被廣泛應(yīng)用在各種行業(yè)領(lǐng)域范圍中,也隨著市場(chǎng)的中高端產(chǎn)品的普遍發(fā)展,已由8位MCU逐漸變成主流32位MCU的市場(chǎng).32位MCU可說(shuō)是MCU市場(chǎng)主流，工作頻率大多在100~350MHz之間，執(zhí)行效能更佳，應(yīng)用類(lèi)型也相當(dāng)多元。但32位MCU會(huì)因?yàn)椴僮鲾?shù)與內(nèi)存長(zhǎng)度的增加，相同功能的程序代碼長(zhǎng)度較8/16bit MCU增加30~40%，這導(dǎo)致內(nèi)嵌OTP/FlashROM內(nèi)存容量不能太小，而芯片對(duì)外腳位數(shù)量暴增，進(jìn)一步局限32bit MCU的成本縮減能力.國(guó)內(nèi)MCU廠商仍處于發(fā)展當(dāng)中，其中有部分產(chǎn)品已可以替換進(jìn)口MCU，例如靈動(dòng)微MCU產(chǎn)品可替換兼容ST MCU產(chǎn)品.下面將介紹有關(guān)于靈動(dòng)微MCU產(chǎn)品的相關(guān)測(cè)試資料.
 
1.測(cè)試條件
除非特別說(shuō)明，所有電壓都以Vss為基準(zhǔn)。

1.1.1最小和最大值
除非特別說(shuō)明，最小和最大數(shù)值是在環(huán)境溫度TA=25°C，Vop=3.3V下執(zhí)行的測(cè)試。

1.1.2典型數(shù)值
除非特別說(shuō)明，典型數(shù)據(jù)是基于TA=25°C和Vpp=3.3V。這些數(shù)據(jù)僅用于設(shè)計(jì)指導(dǎo)而未經(jīng)測(cè)試。

1.1.3典型曲線
除非特別說(shuō)明，典型曲線僅用于設(shè)計(jì)指導(dǎo)而未經(jīng)測(cè)試。

1.1.4負(fù)載電容
測(cè)量引腳參數(shù)時(shí)的負(fù)載條件示于下圖。
1.1.5引腳輸入電壓
引腳上輸入電壓的測(cè)量方式示于下圖。
1.1.6供電方案
供電設(shè)計(jì)方案示于下圖。
1.1.7.電流消耗測(cè)量
引腳上電流消耗的測(cè)量方式示于下圖。  
2．MCU測(cè)試
2.1 mcu靜態(tài)電流
靜態(tài)電流是衡量MCU性能的主要參數(shù)之一，靜態(tài)電流越小越好，根據(jù)MCU規(guī)格書(shū)測(cè)試靜態(tài)電流是否符合要求，一旦MCU有損壞的話，靜態(tài)電流就會(huì)變大，會(huì)增加產(chǎn)品的靜耗，致使產(chǎn)品整體功耗增加。
 
2.2 mcu的振蕩頻率
如MCU為外接晶振型的，需要檢測(cè)其正常工作時(shí)MCU的晶振輸入腳的振蕩頻率是否正確，如果晶振振蕩頻率不符合要求則會(huì)影響產(chǎn)品的定時(shí)及延時(shí)，甚至不能正常工作。
 
2.3．mcu工作電壓及電流,
測(cè)試MCU工作電壓是否在工作電壓范圍，電壓過(guò)高會(huì)影響MCU的正常工作甚至燒壞，工作電壓過(guò)低會(huì)影響MCU的外圍電路驅(qū)動(dòng)能力，甚至導(dǎo)致外圍電路不能正常工作。
 
 
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