隨著業(yè)界持續(xù)邁向更小技術(shù)節(jié)點，DRAM和NAND閃存(flash)正面對著嚴(yán)苛的微縮挑戰(zhàn)，MRAM因而被視為有望取代這些內(nèi)存芯片的備選獨(dú)立式組件。這種非揮發(fā)性內(nèi)存由于具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強(qiáng)勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技，適用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被視為特別適用于像物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備之類的應(yīng)用。MRAM技術(shù)自1990年代起開始發(fā)展，但尚未取得廣泛的商業(yè)成功。
 
全球兩大半導(dǎo)體巨擘——英特爾(Intel)、三星(Samsung)發(fā)表的嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術(shù)。英特爾介紹整合于其22FFL工藝的自旋轉(zhuǎn)移力矩(STT)-MRAM非揮發(fā)內(nèi)存之關(guān)鍵特性，并指稱這是“首款基于FinFET的MRAM技術(shù)”。英特爾表示該技術(shù)目前已經(jīng)“生產(chǎn)就緒”，但并沒透露有哪一家代工廠采用這一工藝；根據(jù)多個消息來源顯示，該技術(shù)已經(jīng)用于目前出貨中的產(chǎn)品了。
 
三星(Samsung)介紹在其28nmFDSOI工藝制造的STT-MRAM。從可擴(kuò)展性、形狀可調(diào)整以及磁可擴(kuò)展性方面來看，STT-MRAM被視為是目前最佳的MRAM技術(shù)。
 
英特爾表示，其嵌入式MRAM技術(shù)在攝氏200°溫度下可實現(xiàn)10年的數(shù)據(jù)保留能力，耐受度超過106個開關(guān)周期。該技術(shù)使用216×225mm1T-1R內(nèi)存單元。同時三星稱其8Mb MRAM的耐受度為106個周期，同樣支持10年的保留能力。
 
但隨著制造成本降低以及其他內(nèi)存技術(shù)面對微縮挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM越來越受青睞。重要的是，隨著新的工藝技術(shù)進(jìn)展，sram內(nèi)存單元的尺寸并不會隨著其后的先進(jìn)工藝而縮小，因此MRAM將會變得越來越有吸引力。
 
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