MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。MRAM技術仍遠未實現(xiàn)其潛力，但截至2020年初，市場上有從很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在將該技術用于許多應用。
 
雖然有了這么多的論文和研究成果，但是目前并沒有MRAM實際產(chǎn)品制造出來。
 
另一個有趣的問題就是MRAM保存數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，熱穩(wěn)定性毫無疑問會影響數(shù)據(jù)的保留期限，溫度越高就越不穩(wěn)定，這就需要平衡數(shù)據(jù)保存的期限。
 
一般的半導體數(shù)據(jù)保存期限是10年，為此需要1bit或者2bit的ECC校驗單元，而sram緩存上已經(jīng)集成了ECC功能，從這點上來看沒有增加成本，是一種合適的選擇。
 
Intel指出做緩存的情況下，半導體保存數(shù)據(jù)的期限遠遠沒必要達到10年這么高，可以適當降低熱穩(wěn)定性要求，這一點是非常重要的，甚至一個月的時間都太長了，能保持數(shù)據(jù)2周就可以了。

 
考慮到MRAM寫入速度較低的缺點，降低熱穩(wěn)定性要求其實是好事一件，因為它可能改變MRAM的存儲單元，帶來提高數(shù)據(jù)寫入速度的可能，使得MRAM更加適合緩存的要求。

關鍵詞：MRAM