FRAM鐵電隨機存儲器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電存儲器。FRAM能保持數據，不僅不需要備用電池，而且在寫入、讀寫耐久性和功耗性能方面具有相當優(yōu)越性。
 
FRAM產品可分為兩個系列。分別是以SOP/SON等封裝產品形式提供的“獨立存儲器”和FRAM內置的RFID用LSI以及驗證LSI等的“FRAM內置LSI”。
 
根據客戶要求開發(fā)和供應最大限度發(fā)揮應用優(yōu)勢及性能的FRAM內置定制LSI。
 
富士通開發(fā)出了能夠以54Mbyte/秒的速度傳輸數據。在Quad SPI接口非易失性RAM市場里最大容量的MB85RQ4ML 4Mbit FRAM。

     
MB85RQ4ML是采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元的FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，配置為524,28個8字X 8位。采用四路串行外設接口（QSPI），可使用四個雙向引腳（四路I / O）實現(xiàn)高帶寬，例如以54 MB/s的速度進行讀寫。
 
MB85RQ4ML能夠保留數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。能夠在沒有任何等待時間的情況下以高帶寬寫入數據，并且非常適合網絡，游戲，工業(yè)計算，相機，RAID控制器
 
MB85RQ4ML采用1.8V的獨立電源，Quad SPI接口，并以108MHz的動作頻率實現(xiàn)了54Mbyte/秒的數據傳輸。在富士通的傳統(tǒng)產品中，具有16bit輸入輸出引腳的44引腳的并行接口的4Mbit FRAM的最快，為13Mbyte/秒，而本產品以較少的引腳實現(xiàn)了相當于4倍速度的數據讀寫。
 
因為具有高速動作及非易失性的特點，所以MB85RQ4ML成為網絡、RAID控制器、工業(yè)計算領域的最佳選擇。
 

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