隨著有希望的非易失性存儲器架構(gòu)的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢來增強動力.
 
什么是STT-MRAM？
 
嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。
 
STT-MRAM是一種電阻存儲技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變化會產(chǎn)生可測量的電阻率變化。從概念上講，每個單元由兩個磁體組成：一個是固定的，另一個是可以翻轉(zhuǎn)的。當(dāng)磁體彼此平行時，電阻低。當(dāng)?shù)诙€磁鐵反轉(zhuǎn)方向時，電阻很高。
 
由于磁性隧道結(jié)（MTJ）器件能夠通過僅三個額外的掩膜嵌入芯片的線路后端（BEOL）互連層，因此STT-MRAM技術(shù)享有低功耗和低成本的優(yōu)勢。在商業(yè)代工廠中，STT-MRAM的支持正在加速發(fā)展，GlobalFoundries，英特爾，三星，臺積電和聯(lián)電都已公開宣布為28nm / 22nm技術(shù)的SoC設(shè)計人員提供產(chǎn)品。

 
系統(tǒng)設(shè)計師正在將STT-MRAM技術(shù)用于低功耗MCU設(shè)計（例如IoT穿戴式設(shè)備），這些設(shè)計可以從較小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM通常會為這些早期采用者取代嵌入式閃存。對于自動駕駛雷達SoC，STT-MRAM的數(shù)據(jù)保留和密度是顯著的優(yōu)勢。在不久的將來，STT-MRAM將用于最終應(yīng)用（例如超大規(guī)模計算，內(nèi)存計算，人工智能和機器學(xué)習(xí)）中替代SRAM。
 
Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造和商業(yè)銷售MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。everspin代理宇芯電子可提供技術(shù)支持及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品一體系服務(wù)。


Everspin STT-MRAM

型號	容量	位寬	電壓	速度	封裝	溫度
EMD4E001G08G1-150CAS1	1Gb	128Mb x8	--	667MHz	Commercial	78-BGA
EMD4E001G08G1-150CAS1	1Gb	128Mb x8	--	667MHz	Commercial	78-BGA
EMD4E001G16G2-150CAS1	1Gb	64Mb x16	--	667MHz	Commercial	96-BGA
EMD4E001G16G2-150CAS1R	1Gb	64Mb x16	--	667MHz	Commercial	96-BGA
EMD3D256M16G2-150CBS1	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
EMD3D256M08G1-150CBS1	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
EMD3D256M16G2-187CBS2T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-187CBS2R	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS2T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS2R	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-187CBS2T	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-187CBS2R	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS2T	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS2R	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS1T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS1R	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS1T	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS1R	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85

 

關(guān)鍵詞：   MRAM    Everspin MRAM