寫入FRAM的零時(shí)鐘周期延遲
 
一個(gè)典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時(shí)間，以將其頁(yè)面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致寫入時(shí)間較長(zhǎng)。相比之下的FRAM不會(huì)使這種寫操作變慢;所有寫操作按總線速率 進(jìn)行，并非基于存儲(chǔ)器延遲。下面兩個(gè)實(shí)例和圖1說明寫延遲的影響。
 
實(shí)例1:
需要2毫秒將256字節(jié)的頁(yè)面數(shù)據(jù)通過1MHz 1C總線從控制器傳輸?shù)紼EPROM頁(yè)面內(nèi)。然后需要5毫秒將數(shù)據(jù)寫入到EEPROM內(nèi)。具有密度為1Mbit和頁(yè)面大小為256個(gè)字節(jié)的1MHzCEEPROM需要28毫秒來備份1Kb數(shù)據(jù)（4x2ms+4x5ms）。
 
然而使用FRAM時(shí)，只要8毫秒（4x2ms）便可以將1Kb數(shù)據(jù)寫入到FRAM中。（這時(shí)測(cè)量數(shù)據(jù)從控制器傳輸?shù)紼EPROM緩沖區(qū)中所需的總時(shí)間。）對(duì)于EEPROM，需要3.584秒（512x2ms+512x5ms）傳輸整個(gè)1Mbit數(shù)據(jù)，但對(duì)于FRAM，只需要大約1.024秒（512x2ms）。
   
 

實(shí)例2:
需要100us將256字節(jié)的頁(yè)面數(shù)據(jù)通過20MHzSPI總線從控制器傳輸?shù)紼EPROM頁(yè)面中，然后需要5ms將一頁(yè)的數(shù)據(jù)傳輸?shù)紼EPROM。具有密度為1Mbit和頁(yè)面大小為256個(gè)字節(jié)的20MHzSPIEEPROM需要20.4ms來備份上述的兩個(gè)實(shí)例顯示了零時(shí)鐘周期寫入FRAM中的延遲提高非易失性寫入性能優(yōu)于EEPROM。
 
EEPROM支持不同的頁(yè)面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁(yè)面大小需要更多頁(yè)面寫操作和更多寫周期時(shí)間。因此造成額外的寫延遲。因?yàn)镕RAM不是分頁(yè)的存儲(chǔ)器，所以將給定的數(shù)據(jù)集寫入到它時(shí)所需的時(shí)間不會(huì)隨存儲(chǔ)器的密度而變化。
 
1Kb的數(shù)據(jù)(4x100us+4x5ms）。對(duì)于FRAM，只需要400us(4x100us）將1Kb的數(shù)據(jù)寫入到FRAM中。（這時(shí)間等于數(shù)據(jù)從SPI控制器傳輸?shù)紼EPROM緩沖區(qū)中所需的總時(shí)間）。對(duì)于EEPROM，需要2.611秒(512x100us+512x5ms）傳輸整個(gè)1Mbit數(shù)據(jù)，但對(duì)于FRAM，只需要大約51.1毫秒（512×100us）。
 
 
 

關(guān)鍵詞：FRAM