賽普拉斯FM25H20是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的2Mbit非易失性鐵電RAM存儲器。鐵電隨機存取存儲器是非易失性的，執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
 
特征
•2Mbit鐵電隨機存取存儲器(鐵電RAM)邏輯上組織為256K×8
-高續(xù)航100萬億（10¹⁴）讀/寫
-151年數(shù)據(jù)保留
-NoDelay™寫入
-先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝
•極快的串行外設(shè)接口(SPI)
-高達(dá)40MHz的頻率
-串行閃存和EEPROM的直接硬件更換
-支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•復(fù)雜的寫保護(hù)方案
-使用寫保護(hù)(WP)引腳的硬件保護(hù)
-使用寫禁用指令的軟件保護(hù)
-1/4、1/2或整個陣列的軟件塊保護(hù)
•低功耗
-1MHz時為1mA有源電流
-80μA（典型值）待機電流
-3μA睡眠模式電流
•低電壓操作：2.7V~3.6V
•工業(yè)溫度–40℃至+85℃
•引腳
-8引腳小外形集成電路(SOIC)封裝
-8引腳薄型雙扁平無引腳(TDFN)封裝
•符合有害物質(zhì)限制(RoHS)
 
FM25H20非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用。示例范圍從數(shù)據(jù)收集（其中寫入周期數(shù)可能至關(guān)重要）到要求苛刻的工業(yè)控制（其中串行閃存或EEPROM的長寫入時間可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失）。提供了可觀的寫入耐久性。FM25H20能夠支持10¹⁴個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。FM25H20為串行EEPROM或閃存作為硬件替代品的用戶提供了巨大的好處。FM25H20采用高速SPI總線，增強了鐵電RAM技術(shù)的高速寫入能力。Cypress代理宇芯電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及應(yīng)用解決方案等。


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