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SOT-MRAM與閃存和NAND的對比

來源: 日期:2022-01-19 14:26:53

在新的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)時代,另一種變體即將加入競爭——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)和其他集成電路中的SRAM陣列。
 
僅僅基于成本,它或任何新的NVM都很難與NAND閃存或DRAM競爭。
 
盡管DRAM和NAND已經(jīng)高度優(yōu)化,可能無法以相同的新存儲器速度取得新的進(jìn)展,但它們受益于一些全球最大的半導(dǎo)體公司在一個銷售數(shù)百億芯片的市場上進(jìn)行了數(shù)十年的技術(shù)投資。每年每項技術(shù)的產(chǎn)品價值,。已經(jīng)花費了大量資金來優(yōu)化DRAM和NAND,達(dá)到今天的水平。即使一項新技術(shù)每年進(jìn)步20%,要趕上DRAM和NAND仍有很長的路要走。
 
在一兩件事上做得更好可能會有所幫助,但總的來說,閃存和DRAM的成熟度以及它們不斷發(fā)展的事實可能會使專用MRAM芯片超出經(jīng)濟范圍。
 
在某些指標(biāo)上,新奇的記憶要擊敗既定的記憶還不夠好。它幾乎必須在帶寬、延遲、容量、成本、功率和耐用性等所有關(guān)鍵指標(biāo)上擊敗DRAM或NAND。就像今天的技術(shù)一樣,專用芯片似乎遙不可及,因為在成本方面它永遠(yuǎn)無法與DRAM競爭。

關(guān)鍵詞:?DRAM 

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