GlobalFoundries、三星、臺積電和聯(lián)電計劃開始提供自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻 RAM（spin-transfer torque magnetoresistive RAM，簡稱 ST-MRAM 或 STT-MRAM）作為 NOR 閃存的替代或 NOR 閃存之外的另一種選擇，也許在今年年底就要開始實行。這預(yù)示著內(nèi)存市場的將發(fā)生一次巨大轉(zhuǎn)變，因為現(xiàn)在只有 Everspin 在為各種應(yīng)用提供 MRAM 產(chǎn)品，其中包括替代電池供電的 SRAM、寫緩存（write-cache）等等。

 

STT-MRAM 的下一個大機會是嵌入式內(nèi)存 IP 市場。傳統(tǒng)的嵌入式內(nèi)存 NOR 閃存在從 40nm 向 28nm 及以后節(jié)點遷移時碰到了許多不同的困難。所以這些代工廠對 STT-MRAM 的大力支持會讓這項技術(shù)成為先進節(jié)點上對傳統(tǒng)技術(shù)的真正意義上的替代技術(shù)。

 

STT-MRAM 使用電子自旋的磁性來提供芯片的非易失性。它既具備 SRAM 的速度，也有閃存的非易失，更重要的是它還具有近乎無限的耐久性。

 

“嵌入式閃存將還是惡劣環(huán)境中的數(shù)據(jù)存留之王，尤其是對于汽車和安全應(yīng)用。”GlobalFoundries 嵌入式內(nèi)存副總裁 Dave Eggleston 說，“那是嵌入式閃存還將繼續(xù)發(fā)展的領(lǐng)域。但它的擴展性不是很好。隨著你下降到 28nm 或更小的節(jié)點，嵌入式閃存成本就變得昂貴了，并不是一個理想的選擇”

 

所以現(xiàn)在急需一種新的解決方案，而 STT-MRAM 也剛好為 20 幾納米及以后節(jié)點的嵌入式內(nèi)存應(yīng)用做好了充分的準(zhǔn)備。“在用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車、消費電子和移動設(shè)備的 MCU 和 SoC 上，嵌入式 STT-MRAM 有很大的潛力可以完全替代嵌入式閃存。”Web-Feet Research 首席執(zhí)行官 Alan Niebel，“首先補充然后替代嵌入式 DRAM 和 SRAM 也是 MRAM 的一大機會，因為 MRAM 能為處理器增加持久性的能力。”

 

但是，STT-MRAM 能不能實現(xiàn)人們期待已久的完全替代 DRAM 的期許呢？這還需要多些時日觀察。也許這可能永遠(yuǎn)不會發(fā)生。但是不管怎樣，MRAM 可能最終會成長為一個大市場，也可能只是一種利基的解決方案；究竟最后會怎樣取決于幾個因素。

 

樂觀的想，也許很快就會有不止一家供應(yīng)商和一系列應(yīng)用可以使用 STT-MRAM 了。此外，主要代工廠進軍 STT-MRAM 領(lǐng)域的舉動很可能將會助力這種技術(shù)實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟和成本下降。

 

但這種技術(shù)也面臨著一些難題，因為不是所有代工客戶都需要 22nm 及以后節(jié)點的芯片。而且，STT-MRAM 是一種相對較新的技術(shù)，客戶還需要一些時間才能將其整合進來。另外也還有各種生產(chǎn)制造方面的難題需要解決。
 

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