三星宣布量產(chǎn)新型DRAM

來源：宇芯有限公司 日期：2018-01-30 17:04:50

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韓國三星電子近日宣布，新型DRAM（動態(tài)隨機記憶體）開始量產(chǎn)。該記憶體的電路線寬為最尖端的10納米級。三星通過微細化將生產(chǎn)效率提高了3成，將應對全球不斷增長的數(shù)據(jù)中心需求。三星在半導體記憶體領域在全球位居第一，將在尖端產(chǎn)品的量產(chǎn)方面領跑，以甩開美國、日本競爭對手。

 

這次量產(chǎn)的是被三星稱為第2代的10納米級DRAM，存儲容量達到8GB。三星采用新設計，將數(shù)據(jù)傳輸速度提升超過10％，耗電量降低超過15％，主要面向數(shù)據(jù)中心的伺服器。同時，三星還計劃將新技術應用于智慧手機等移動終端用DRAM。

 

三星早在2016年2月就啟動了10納米級DRAM的量產(chǎn)。三星表示：各企業(yè)的標準有所不同。并未透露具體數(shù)值。但有分析師分析稱，以前產(chǎn)品是18納米，此次微細化水平達到15～16納米。隨著微細化取得進展，1枚硅晶圓能生產(chǎn)的記憶體數(shù)量會增加，生產(chǎn)效率將隨之提高。因此除了部分用途之外，三星的DRAM基本上將全面轉向10納米級。

                                            
 

全球第2大DRAM廠商韓國SK海力士2017年秋季啟動了18納米DRAM的量產(chǎn)，但整體占比還不到1成。預計15～16納米產(chǎn)品的量產(chǎn)要等到2018年秋季。在三星方面，目前超過5成產(chǎn)品已為10納米級，正向著全面10納米級邁進。

 

由于大數(shù)據(jù)和人工智慧（AI）的普及使數(shù)據(jù)量呈爆炸式增長，DRAM和NAND型記憶卡的需求正在迅速擴大。2017年7～9月，三星半導體部門的營業(yè)利潤達到9.96萬億韓元，同比增至近3倍，連續(xù)4個季度創(chuàng)出新高。

目前全球范圍出現(xiàn)半導體記憶體短缺。有觀點認為，半導體行業(yè)進入了需求呈跨越式增長的「超級周期」階段。韓國野村證券指出明年DRAM仍會供不應求。三星將通過向尖端產(chǎn)品過渡來增加產(chǎn)量，以應對旺盛的需求。

三星持續(xù)不斷地對半導體工廠進行巨額投資，已在DRAM市場掌握約5成份額。長期以來，DRAM 行業(yè)一直由三星、SK海力和美光士把持。這三大巨頭擁有該領域的絕對話語權，三者的座次也相對固定。2017年三季度數(shù)據(jù)顯示，這三家企業(yè)的營收市占率分別為45.8%、28.7%和21.0%，共奪得九成份額。

 

特別是三星，自 1992 年超越日本 NEC 成為全球最大 DRAM 存儲制造商之后，就長期霸占榜首的位置 25 年。而三星 2017 年的業(yè)務也非常出色，可以說，半導體業(yè)務是運營利潤的主要貢獻者。

 

在NAND領域，三星也掌握約4成份額，均高居全球首位。除了三星之外，DRAM市場上還有收購爾必達記憶體的美國美光科技、SK海力士，形成3家壟斷狀態(tài)。三星將通過投入尖端產(chǎn)品來鞏固領先地位。在數(shù)據(jù)中心的需求迅速擴大的NAND領域，三星也打算在技術開發(fā)方面領先，以甩開東芝等對手。

 

 

關鍵詞：DRAM

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