據(jù)報(bào)導(dǎo)，復(fù)旦大學(xué)和中國科學(xué)院微電子研究所的Long-Fei He及相關(guān)研究人員最近發(fā)表了一篇關(guān)于新型態(tài)存儲(chǔ)器的論文。 

 

因?yàn)榇蠖鄶?shù)現(xiàn)有的存儲(chǔ)器技術(shù)都不夠輕巧，不能整合應(yīng)用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設(shè)計(jì)和材料，嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲(chǔ)存設(shè)備。 

 

在這項(xiàng)新的研究中，研究人員通過二維過度金屬材料“二硫化鉬”（MoS2）的應(yīng)用，創(chuàng)造出一種原子級(jí)薄度的半導(dǎo)體，它的電導(dǎo)率（conductivity）可以被精細(xì)的調(diào)整，進(jìn)而形成具有高開關(guān)電流比的存儲(chǔ)器基礎(chǔ)元件。 

 

此外，團(tuán)隊(duì)也在測(cè)試中證明，這類型存儲(chǔ)器具有運(yùn)行速度快、大容量的存儲(chǔ)器空間和優(yōu)異的保存性，研究人員估計(jì)，即使處在85°C（185°F）的高溫下10年，儲(chǔ)存空間仍可以保存原有的60%左右，對(duì)于實(shí)際應(yīng)用來說仍然足夠。 

 

曾經(jīng)已有研究證實(shí)二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質(zhì)可以運(yùn)用光來控制，為了了解實(shí)際應(yīng)用情況，團(tuán)隊(duì)也實(shí)際進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果他們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)光線照射到已編程的存儲(chǔ)設(shè)備上時(shí)，儲(chǔ)存資料被完全消除，但同時(shí)運(yùn)用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。 

 

團(tuán)隊(duì)目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長(zhǎng)和時(shí)間，來大規(guī)模整合這種儲(chǔ)存元件。研究人員相信未來這種儲(chǔ)存設(shè)備，將會(huì)在系統(tǒng)整合型面板的應(yīng)用上扮演重要角色。

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

上一篇：中芯支援兆易創(chuàng)新擴(kuò)產(chǎn)Nor Flash

---