主攻存儲器芯片設(shè)計與制造的南亞科加碼投資20納米制程，今年資本支出由原訂的115億元上調(diào)至197.1億元，增幅超過71%，預(yù)計在明年第2季底前， 20納米制程月產(chǎn)能將能提升至4.7萬片，也能讓南亞科DRAM月產(chǎn)能增至7.3萬片。

 

華邦電今年的資本支出高達182億元新臺幣，支出比去年增加了兩成。預(yù)計今年的月產(chǎn)能能夠增長至5.2萬片，明年的月產(chǎn)能增至5.4萬片，其中DRAM產(chǎn)出占比達到了50%。

 

力晶雖然已經(jīng)宣布轉(zhuǎn)型為晶圓代工，但還是有不少業(yè)務(wù)涉及到存儲芯片，而且力晶近期也宣布將斥資2780億元新臺幣建設(shè)一座12英寸新廠，預(yù)期從2020年開始，計劃分三期完成建設(shè)。第一期到第三期的月產(chǎn)能分別是1.5萬片、3.5萬片和5萬片。

 

看到存儲器市場如此火熱，臺灣地區(qū)各大廠商爭相選擇加大資本投入，擴大產(chǎn)出，希望能奪得更多商機，但是這同時也為未來市場供需不平衡埋下了伏筆。

 

以目前國內(nèi)存儲器廠商的研發(fā)實力以及產(chǎn)出計劃來看，最少還需要3年時間產(chǎn)量才能形成一定的規(guī)模。存儲巨頭們一定會趁著這最后的紅利期再狠狠的賺上一筆。韓、臺地區(qū)的存儲器廠商紛紛選擇擴大產(chǎn)能，希望在中國競爭力進入市場之前盡可能的霸占更多的資源市場。

 

但韓國和臺灣雙方的目的性不一樣，作為行業(yè)巨頭的三星、SK海力士，是想通過擴大產(chǎn)能來壓低的市場價格，對即將進入市場的國內(nèi)存儲廠商形成成本上的壓力，阻止新來者的發(fā)展腳步，讓自身的統(tǒng)治地位更穩(wěn)固。而臺灣地區(qū)的廠商由于本身技術(shù)沒有達到三星、SK海力士這一水平，競爭力有限，一旦競爭開始，將會是第一波被沖擊的目標(biāo)，只能選擇在這段時間里盡可能的多出貨。

 

總的來說，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)的競爭力相對來說依然較弱，遠遠還沒達到能夠撼動三星、SK海力士等巨頭地位的階段，但形成一定規(guī)模后，一定會對DRAM市場帶來部分沖擊，也會打破維系已久的產(chǎn)業(yè)平衡。未來是否會讓一直處于上漲的DRAM市況止?jié)q下跌，答案想必是肯定的。 


關(guān)鍵詞：DRAM    晶圓

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