兆易創(chuàng)新年底將試產(chǎn) 19 納米 DRAM

來源： 日期：2018-05-29 14:54:06

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據(jù)了解，存儲器廠商兆易創(chuàng)新（Gigadevice）與合肥長鑫合作生產(chǎn)的第 1 顆國產(chǎn)DRAM，將使用 19 納米制程技術(shù)，預計在 2018 年下半年開始試產(chǎn)，將來量產(chǎn)后的總產(chǎn)能可達全球 DRAM 產(chǎn)能 8%。

 

2017 年 10 月，兆易創(chuàng)新宣布斥巨資進軍 DRAM 市場，資金高達人民幣 180 億元，與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股有限公司合作，主要目標是研發(fā) 19 納米制程的 DRAM 存儲器，計劃在 2018 年底前研發(fā)成功。關(guān)于研發(fā)成功的標準就是達成產(chǎn)品良率不低于 10% 的水準。

 

另外，關(guān)于合肥長鑫 12 寸存儲器晶圓制造基地計劃，其中的 300 臺研發(fā)設(shè)備已全部到位，營運及研發(fā)團隊全部到位，預計在 2018 年下半年將投片試產(chǎn)。合肥長鑫有望在今年內(nèi)造出第一顆中國本土生產(chǎn)的 19 納米制程 DRAM 存儲器，也就是與兆易創(chuàng)新合作的那個 19 納米制程存儲器。

 

事實上，目前全球 DRAM 三大廠，包括三星、美光、SK Hynix 都早已經(jīng)完成了 20 納米制程的 DRAM 芯片的研發(fā)，三星還夠?qū)⒅髁χ瞥踢M一步推進至新一代的 18 納米制程上。因此，合肥長鑫的 19 納米存儲器一旦能夠生產(chǎn)，將是目前除了三大廠之外，最為先進的制程。

 

合肥長鑫的 DRAM 計劃投資金額超過 72 億美元，預計建設(shè)三期工程。目前建設(shè)的是一期工程 12 寸晶圓廠，建成之后預計月產(chǎn)能為 12.5 萬片。預計這個產(chǎn)量將達到全球 DRAM 存儲器產(chǎn)能的 8%。

 

關(guān)于合肥長鑫的 19 納米制程 DRAM 存儲器生產(chǎn)計劃，最關(guān)鍵的部分在于良率上，因為目前合肥長鑫的 19 納米制程 DRAM 存儲器良率還是很低，雖然研發(fā)目標是不低于 10%，但即使是這個水準，還是不可能進行進一步的量產(chǎn)。所以，要完全解決良率的問題可能還需要幾年的時間。 

關(guān)鍵詞：DRAM

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