外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口。考慮到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲(chǔ)器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對(duì)于已經(jīng)(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是緩存)應(yīng)用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢(shì)。但這種情況似乎即將改變。
 
雖然能夠提供高于串行接口的性能，但并行接口也有劣勢(shì)。其中比較明顯的是，無論是從電路板空間還是從引腳數(shù)要求的角度而言，并行接口的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于串行接口。例如一個(gè)簡(jiǎn)單的4Mb SRAM最多可能需要43個(gè)引腳才能與一個(gè)控制器相連。在使用一個(gè)4Mb SRAM時(shí)，我們的要求可能如下：
 
A.最多存儲(chǔ)256K的16位字
 
B.最多存儲(chǔ)512K的8位字

對(duì)于“A”，我們需要使用18個(gè)引腳來選擇一個(gè)地址(因?yàn)榇嬖?^18種可能)，并另需使用16個(gè)引腳來進(jìn)行實(shí)際上的數(shù)據(jù)輸入/輸出。除了這34個(gè)引腳之外，使能我們還需要更多連接來實(shí)現(xiàn)使能芯片、使能使能輸出、使能使能寫入等功能。對(duì)于“B”，我們需要的引腳相對(duì)較少：19個(gè)引腳用于選擇地址，8個(gè)用于輸入/輸入。但開銷(使能芯片、使能寫入等)保持不變。對(duì)于一個(gè)容納這些引腳的封裝而言，僅從面積的角度而言，其尺寸已經(jīng)很大。
 
一旦地址被選擇后，一個(gè)字(或其倍數(shù))將被快速讀取或?qū)懭?。?duì)于需要較高存取速度的應(yīng)用而言，這些SRAM是理想選擇。在使用SRAM的大多數(shù)常見系統(tǒng)中，這種優(yōu)勢(shì)使得“太多引腳”的劣勢(shì)變得可以忽略不計(jì)，這些系統(tǒng)的控制器需要執(zhí)行極其復(fù)雜的功能，因此需要一個(gè)很大的緩存。過去這些控制器通常較大，配有足夠的接口引腳。控制器較小、引腳較少的應(yīng)用不得不湊合使用嵌入式RAM。
 
在一個(gè)配備串行接口的存儲(chǔ)器芯片中，位元是被串行存取的(一次存取1位到4位)。與并行接口相比，這使得串行接口更加簡(jiǎn)單和小巧，但通常吞吐量也更小。這個(gè)劣勢(shì)讓大多數(shù)使用SRAM的系統(tǒng)棄用了串行接口。盡管如此新一代應(yīng)用的存儲(chǔ)器要求有可能很快打破引腳數(shù)和速度之間的平衡。

關(guān)鍵詞：SRAM