隨著半導體工藝技術(shù)的不斷進步,芯片工藝制程的不斷演進和成本的不斷降低,半導體芯片廣泛應用在物聯(lián)網(wǎng)、個人終端、汽車電子、可穿戴設備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等各個領(lǐng)域。隨著芯片工藝的逐步升級,性能問題已不在是芯片設計環(huán)節(jié)的主要瓶頸,如在很多手持設備領(lǐng)域,低功耗設計成為了芯片設計中的關(guān)鍵核心問題。通過引入一種基于磁存儲芯片作為內(nèi)部存儲器件的芯片架構(gòu),同時也用作芯片內(nèi)部的高速緩存,能夠有效降低芯片漏電流,有效地提升了設備使用時間,降低了整體的TCO成本,大大提升了產(chǎn)品競爭力。
 
在眾多新型非易失性存儲介質(zhì)中,磁存儲芯片(STT-MRAM)能夠與CMOS半導體工藝良好兼容,利用較少的金屬層即可以做到存儲單元的高密度集成。同時由于其接近于靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的讀寫速度﹑極低的靜態(tài)和動態(tài)功耗、掉電不易失的特性、接近于無限的擦寫次數(shù),高溫下長時間的數(shù)據(jù)保持能力以及抗強磁場輻射等特性,是作為企業(yè)級SSD控制器中數(shù)據(jù)緩存和FTL表項存儲的天生優(yōu)良介質(zhì)。
 
當前眾多半導體設計大廠都將MRAM芯片作為下一代非易失性存儲介質(zhì)的研發(fā)重點。除了臺積電、三星和東芝一直在持續(xù)推進STT-MRAM 的研發(fā)之外,美國的 Everspin MRAM公司早已發(fā)布了量產(chǎn)STT-MRAM芯片。
 
將嵌入式STT-MRAM應用在芯片架構(gòu)設計中,充分利用其掉電不易失數(shù)據(jù)的特性,能夠?qū)Υ鎯Σ糠诌M行完全的關(guān)電設計,從而顯著降低整個芯片的漏電流和靜態(tài)功耗。
 


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