MR0D08BMA45是一種雙電源MRAM存儲器設(shè)備，容量為1Mbit。它支持從+1.65到+3.6伏的I/O電壓。MRAM提供具有無限耐用性的SRAM兼容45ns讀/寫時序。超過20年的數(shù)據(jù)始終是非易失性的。低電壓抑制電路在斷電時自動保護(hù)數(shù)據(jù)，以防止電壓超出規(guī)范的寫入。對于必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，是理想的存儲器解決方案。
 
MR0D08BMA45采用小尺寸8mmx8mm、48引腳球柵陣列(BGA)封裝。在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品MRAM提供商業(yè)溫度（0至+70℃）。everspin代理宇芯電子提供樣品測試及產(chǎn)品應(yīng)用方案等服務(wù)。
 
MR0D08BMA45特征
•+3.3伏電源
•I/O電壓范圍支持廣泛的+1.65至+3.6V接口
•快速45ns讀/寫周期
•SRAM兼容時序
•無限讀寫耐久性
•數(shù)據(jù)在溫度下始終保持非易失性>20年
•符合RoHS的小尺寸BGA封裝
 
MR0D08BMA45的優(yōu)點：一個存儲器取代系統(tǒng)中的FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM，實現(xiàn)更簡單、更高效的設(shè)計；通過更換電池供電的SRAM提高可靠性。

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