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SRAM,DRAM,SDRAM的比較
SRAM 是Static Random Access Memory的縮寫,中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器,它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
2017-10-30
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PROM、EEPROM、FLASH的區(qū)別
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中,充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide
2017-10-30
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誰能在物聯(lián)網(wǎng)搶得先機(jī)
物聯(lián)網(wǎng)作為互聯(lián)網(wǎng)的延伸,通過智能感知、識(shí)別技術(shù)等廣泛應(yīng)用與互聯(lián)網(wǎng)高度融合,也被公認(rèn)為是繼計(jì)算機(jī)、互聯(lián)網(wǎng)之后世界產(chǎn)業(yè)技術(shù)革命的第三次高潮,市場(chǎng)商機(jī)無限。
2017-10-30
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物聯(lián)網(wǎng)芯片成為市場(chǎng)新寵
物聯(lián)網(wǎng)被業(yè)內(nèi)公認(rèn)為是繼計(jì)算機(jī)、互聯(lián)網(wǎng)之后世界產(chǎn)業(yè)技術(shù)的第三次革命,蘊(yùn)含著空前絕后的大市場(chǎng)。萬物互聯(lián)的背后離不開小小的芯片,包括英特爾、華為、聯(lián)發(fā)科、高通在內(nèi)的巨頭紛紛對(duì)物
2017-10-30
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串行總線接口MRAM
串行MRAM以40MHz的時(shí)鐘速度高速運(yùn)行,沒有寫延遲。和傳統(tǒng)的EEPROM技術(shù)不同,MRAM允許無限次擦除。容量為256Kb到1Mb,數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)達(dá)20年以上。低電壓保護(hù)電路可在掉電時(shí)自動(dòng)保護(hù)數(shù)據(jù),防止在
2017-10-26
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臺(tái)積電斥巨資建3納米工藝芯片制造廠
雖然臺(tái)積電不是一個(gè)眾所周知的品牌,但它其實(shí)是智能手機(jī)元器件制造領(lǐng)域的巨頭之一。聯(lián)發(fā)科、高通和蘋果等公司自己設(shè)計(jì)芯片,然后由臺(tái)積電進(jìn)行制造的。
2017-10-26
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