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基于靈動(dòng)微電子MM32F0133C6P微控制器的OBD診斷儀系統(tǒng)參考方案
已經(jīng)在MCU領(lǐng)域探索10年的靈動(dòng)微電子在產(chǎn)品磨合上已經(jīng)積累了相當(dāng)?shù)慕?jīng)驗(yàn)和教訓(xùn),現(xiàn)正迎來(lái)智能家電和汽車電子市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展機(jī)遇。靈動(dòng)微
2022-01-24
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SOT-MRAM與閃存和NAND的對(duì)比
在新的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)時(shí)代,另一種變體即將加入競(jìng)爭(zhēng)——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)
2022-01-19
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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM
ISSI型號(hào)IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存儲(chǔ)器,位寬256*12,采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工
2022-01-17
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Everspin代理256k非易失性MRAM-MR256A08BCYS35
Everspin型號(hào)MR256A08BCYS35是一個(gè)位寬32Kx8的MRAM存儲(chǔ)芯片。提供SRAM兼容的35ns讀 寫(xiě)時(shí)序,具有無(wú)限的耐用性。數(shù)據(jù)在超過(guò)20年的時(shí)間里始終
2022-01-11
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外擴(kuò)SRAM芯片IS62WV51216ALL
ISSI IS62WV51216ALL是容量8M的高速SRAM,位寬為512K*16位。使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2022-01-06
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三星西安半導(dǎo)體廠因疫情影響縮減產(chǎn)能
三星電子新聞中心發(fā)布公告稱,受新冠疫情持續(xù)等影響,正在對(duì)西安半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)線進(jìn)行靈活調(diào)整?;谝詥T工安全和健康為重的經(jīng)營(yíng)方針做出上
2021-12-30
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