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Cypress存取時(shí)間為10納秒的異步SRAM
Cypress16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后
2020-11-12
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集成鐵電存儲(chǔ)器MCU為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供出色性能
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU,由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器,該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電
2020-11-10
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磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM基本原理
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)
2020-11-06
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非易失性MRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)
2020-11-04
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NAND FLASH的接口控制設(shè)計(jì)
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand
2020-11-02
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SDRAM內(nèi)存條時(shí)序特點(diǎn)
計(jì)算機(jī)上廣泛應(yīng)用的內(nèi)存條具有速度高、容量大、接口標(biāo)準(zhǔn)、擴(kuò)展方便等優(yōu)點(diǎn)。在大容量,高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)域,應(yīng)用SDRAM內(nèi)存條代替一般的單片SDRAM存儲(chǔ)器,給實(shí)際電路的更改和存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展帶
2020-10-29
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