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如何解決MRAM壽命問(wèn)題
在高密度MRAM模塊中會(huì)遇到磁介質(zhì)的不規(guī)則漩渦,這種漩渦引起了磁極的老化,甚至導(dǎo)致讀寫(xiě)錯(cuò)誤。這也就是說(shuō),MRAM的壽命和穩(wěn)定性會(huì)隨著MRAM容量的增加而面臨嚴(yán)峻的考驗(yàn)。
2020-10-27
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非易失性NV-SRAM的應(yīng)用
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)
2020-10-23
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PSRAM是異步SRAM的理想替代品
PSRAM與傳統(tǒng)的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當(dāng),但卻有著標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM無(wú)法比擬的絕對(duì)成本優(yōu)勢(shì)。此外,PSRAM還可提供極高的存儲(chǔ)密度,如32Mbit和64Mbit,可滿足手機(jī)廠商手機(jī)擴(kuò)展功能的需要。
2020-10-20
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鐵電RAM為何比串行SRAM更好
SRAM的功能及其為當(dāng)今產(chǎn)品提供的好處。還有另一種技術(shù)可以執(zhí)行相同的操作,在許多情況下會(huì)更好。FRAM與串行SRAM可以用來(lái)互相代替,可以提供更好的性能,更低的功耗以及更可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)環(huán)
2020-10-16
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串行SRAM和FRAM之間的相似之處
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途,但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn),這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細(xì)介紹了SRA
2020-10-14
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賽普拉斯的65nm SRAM與ASIC/FPGA/控制器的接口
賽普拉斯瞄準(zhǔn)的市場(chǎng)增長(zhǎng)速度要快于包括汽車(chē),工業(yè)和消費(fèi)電子市場(chǎng)任內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)。在安全無(wú)線技術(shù),連同MCU,存儲(chǔ)器,模擬IC和USB控制器,
2020-10-12
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