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同步高速Sync High Speed
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同步高速存儲(chǔ)器芯片（Sync High Speed SRAM）

同步高速靜態(tài)存儲(chǔ)器是指Memory工作需要步時(shí)鐘，
內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線(xiàn)性依次存儲(chǔ)，
而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。
對(duì)于SSRAM的所有訪問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。
這一點(diǎn)與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問(wèn)獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)　據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。
issiISSI用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進(jìn)的SRAM產(chǎn)品，產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn)，以下產(chǎn)品是為同步快速存儲(chǔ)器芯片簡(jiǎn)稱(chēng)為：sync Fast SRAM，是與時(shí)鐘同步運(yùn)行的SRAM,同步SRAM的所有訪問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。電壓范圍在1.65V~5V，可以滿(mǎn)足大部分應(yīng)用的電壓設(shè)計(jì)。
型號(hào) 容量 位寬 核心電壓 輸入輸出電壓 速度 tKQ(ns) 封裝(Pins) PDF
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IS64VF25636B 9Mb 256Kx36 2.5V 2.5V 117 7.5 QFP(100),BGA(119),BGA(165) 聯(lián)系我們
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