最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場，使自由層的磁矩方向反轉(zhuǎn)來進行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復雜的結構大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程，因此當時MRAM的存貯密度遠遠不及DRAM和SRAM。
 
后來科學家們想出了用自旋極化的電子流脈沖取代微電磁線圈的突破方案。穿過微磁粒的自旋極化電子流脈沖具有確定的磁場方向，它的磁矩在這里被稱為“自旋轉(zhuǎn)移力矩”或簡稱“自旋轉(zhuǎn)矩”，即前面提到的STT。自旋極化電子流可以代替電磁線圈使微磁粒的磁場方向發(fā)生反轉(zhuǎn)，因此這種方式也被稱為流致反轉(zhuǎn)。
 
STT可視為相反于巨磁阻的效應，顯示的是電流通過多層膜結構后改變多層膜的磁化特性。當具高密度的自旋極化電流通過鐵磁金屬，由于極化電子角動量的轉(zhuǎn)移部份角動量至鐵磁金屬中的磁矩，因而產(chǎn)生力矩。對于鐵磁(F)/非鐵磁(N)/鐵磁(F)的多層膜系統(tǒng)，電流方向垂直膜面進行(CPP)。鐵磁層F1藉由形狀異向性或外加場來保持磁化方向固定，而鐵磁層F2則為自由層,兩鐵磁層間亦由非磁性金屬層隔開。
 
自旋極化電流通過此多層膜結構所轉(zhuǎn)移的力矩效應與電流流向有關:當電子流由固定層F1流向自由層F2時，力矩傾向于將F2中磁矩轉(zhuǎn)向于平行F1層之磁化方向;當電子流由自由層F2流向固定層F1時，力矩效應則傾向于使自由層的磁矩與固定層磁矩反向。因此在不需要外加翻轉(zhuǎn)磁場的情況下，可藉由極化電流的傳輸而使固定層與自由層鐵磁金屬同向或反向極化。
 
通過精細地控制自旋極化電子流脈沖的形狀和長度,在實驗室中用STT- MRAM原型芯片使其納米磁粒的反轉(zhuǎn)時間達到了1ns接近了理論上的極限。采用100nm尺度下的磁矩閉合型納米環(huán)狀磁性隧道結作為存儲單元，利用正負脈沖極化電流直接驅(qū)動比特層磁矩翻轉(zhuǎn)的工作原理，解決了常規(guī)MRAM相對功耗高、存儲密度低等瓶頸問題。該器件利用500～65Q A脈沖極化電流就可以直接驅(qū)動存儲單元比特層的磁矩翻轉(zhuǎn)進行寫操作﹐并有望進一步優(yōu)化和降低寫操作電流，而讀操作只需要10～2Q A的脈沖電流。
 
目前STT效應的研究已發(fā)展成磁學界一個重要的研究熱點。其重要之處在于，這一效應不僅在理論上提出了自旋電流調(diào)控薄膜磁矩的物理新理念，而且它可以用于發(fā)展電流直接調(diào)控的STT- MRAM。STT - MRAM目前面臨的主要問題是翻轉(zhuǎn)電流過大。至于如何降低翻轉(zhuǎn)電流﹐還沒有切實可行的辦法，但許多研究者已經(jīng)給出了建議和嘗試。
 
 
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